Статья 1707

Первый каскад этой схемы совпадает со схемой. Второй представляет собой упрощенный дифференциальный каскад на транзисторах, в принципе подобный первому каскаду, но имеющий не симметричный выход, который нагружен на генератор постоянного тока на транзисторе. Этот генератор, функционируя подобно транзистору, обеспечивает высокую динамическую по сигналу нагрузку в коллекторе.
Наконец, транзисторы - это экономичный эмиттерный повторитель, обеспечивающий хорошую нагрузочную [...]

Читать дальше
Статья 1705

Следовательно, геометрическая точность исполнения в случае полевых транзисторов требуется существенно выше. В-третьих, в случав полевых транзисторов условия минимального дрейфа дифференциального каскада, вообще говоря, далеко не всегда совпадают с условием равенства нулю начального смещения нуля, с точкой баланса дифференциального каскада.
Первая из указанных трудностей - получение монолитных пар полевых транзисторов - принципиально была решена только в [...]

Читать дальше
Статья 1703

Заметим, что такое постоянство температуры создает благоприятные условия для работы схемы и в смысле временной стабильности, ведь если схема включена постоянно, то исчезают циклические температурные поля и тому подобные разрушающие факторы, связанные с действием температуры окружающей среды.
Однако ни транзисторы со сверхвысокими усилениями по току, ни режимы очень малых коллекторных токов нe могут решить проблемы токов [...]

Читать дальше
Статья 1701

В современных транзисторах при темперам ниже 50-60°С он очень мал.

Общее действие всех этих источников дрейфа по напряжению в современных схемах с высококачественными парными транзисторами оказывается подавлено до величин порядка 0,5-2,0 мкВ на 1°. Большие трудности здесь начинают появляться в связи с неоднородностями температурных полей в кристаллах, контактными разностями потенциалов в точках присоединения выводов контактов [...]

Читать дальше
Статья 1699

Этот разбаланс составляет для парных интегральных транзисторов, изготовленных по современной технологии, обычно больше 1-3 мВ.
Заметим, что у изготовленных по одинаковой технологии, но не в одном кристалле транзисторов разность спряжений на эмиттерных переходах при одинаковых токах эмиттеров обычно составляет 50-100 мВ.
Этот разбаланс напряжений на эмиттерных переходах - основной источник дрейфа при изменениях температуры.
Сам дрейф может [...]

Читать дальше
Статья 1697

Проблема - в получении достаточной идентичности транзисторов в паре при большом их усилении по току. Теперь нетрудно оценить и коэффициент усиления и допустимую нагрузку каскада.
Приемлемой величиной для является 20000 Ом, будет соответствовать практически максимально возможной для современной интегральной технологии величине.
Также следует помнить что требуется сравнительно высокая идентичность и стабильность идентичности во времени, которые, впрочем, [...]

Читать дальше
Статья 1695

В то же время величина внешней нагрузки как бы вдвое уменьшилась.
Из-за того, что плечи каскада тянут ее в разные стороны.
Понятно, что сверху он ограничен допустимой мощностью рассеивания на транзисторах. Обычно считается что на 1 мм2 схемы не должна рассеиваться мощность большая, чем 30-50 мВт, а вся интегральная схема в корпусе стандартных размеров примерно [...]

Читать дальше
Статья 1693