Статья 2488

В электронных вычислительных машинах роль переключающих устройств выполняют транзисторы, но даже самый быстродействующий современный транзистор не может изменить свое состояние менее чем за одну наносекунду миллиардную долю секунды. Время переключения оптического устройства, аналогичного транзистору, составляет всего одну пикосекунду, тысячную миллиардной доли секунды.
Авторы статьи создали экспериментальный вариант оптического транзистора, переключающегося при небольшом изменении интенсивности падающего [...]

Читать дальше
Статья 2486

Польза и применимость каждого из источников, описанных выше, зависит от определенных свойств области, в которой ставится задача, а экономичность их использования зависит от некоторых других ее свойств.
Эти два типа свойств являются как бы необходимым и достаточным условием применимости того или иного средства. Возьмем, к примеру, аналогию, она имеет смысл только в том случае, когда [...]

Читать дальше
Статья 2482

Перспектива увеличения скорости обработки информации в миллион раз настолько вдохновила некоторых исследователей, что они пророчат революционные изменения в программном обеспечении систем искусственного интеллекта.

Изменения, несомненно, будут существенными. Повышение быстродействия может приблизить нас к решению некоторых интересных задач, таких, например, как понимание машиной речи в том же масштабе времени, в котором произносятся фразы. Возможно также, что [...]

Читать дальше
Статья 1657

В зависимости от интенсивности этого поля изменяется и поток носителей в канале таким образом, потенциал, подведенный к затвору, управляет током в канале.
Так как при этом переход затвор канал остается запертым, то входной ток затвора буде очень мал - это обратный ток перехода. Получаете усилительный полупроводниковый прибор, управляемый потенциалом. Если обратиться к конструкции, то [...]

Читать дальше
Статья 1654

При этом падение напряжения между электродами коллектора и эмиттера становится очень малым.
Если же задать на электроды транзистора, напряжения так, чтобы база была под отрицательным потенциалом по отношению и к коллектору и к эмиттеру, мы полностью закроем транзистор, тем самым разомкнув цепь коллектор - эмиттер.
Такой режим транзисторов - заперт или насыщен - широко используется в [...]

Читать дальше
Статья 1652

Правда, последние типы высоковольтных транзисторов остаются очень дорогими приборами, но и потребность в них в каждом изделии, например, телевизоре оказывается мала - один, максимум два прибора. Помимо включения нагрузки в коллектор, существует другая возможность - включение нагрузки в эмиттер. В этом случае сигнал напряжения на нагрузке благодаря возникающей глубокой обратной связи отслеживает входной сигнал. [...]

Читать дальше
Статья 1651

При этом изменения потенциала коллектора, даже значительные, в сущности могут мало повлиять на поток неосновных для базы носителей, идущих в коллектор, лишь бы коллектор оставался под положительным напряжением относительно базы. Поэтому говорят о высоком выходном сопротивлении биполярных транзисторов со стороны коллектора в усилительном линейном режиме или о том, что такой транзистор является генератором тока.
Физическая [...]

Читать дальше
Статья 1648

Толщина базы по сравнению с возможной длиной свободного пробега электронов выбирается малой, поэтому основная их масса, попав в базу, не уходит во внешнюю цепь через ее вывод, а достигает коллекторного перехода. На коллекторный переход в случае активного, усилительного режима задается положительный потенциал относительно базы и тем более эмиттера. Поэтому для основных носителей заряда в [...]

Читать дальше
Статья 1647